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IRLR/U024N
800
600
C iss
V GS
C is s
C rs s
C o ss
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C g s + C g d , C d s S H O R T E D
C gd
C d s + C gd
15
12
I D = 11 A
V D S = 4 4V
V D S = 2 8V
9
400
C oss
6
200
C rss
3
FO R TE S T C IRC UIT
0
1
10
100
A
0
0
4
8
S E E FIG U R E 1 3
12 16
20
A
100
V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 1 75 °C
1000
100
Q G , T otal G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R AT ION IN TH IS AR E A LIM ITE D
B Y R D S (on)
10
T J = 25°C
10
1 0μ s
1 00 μ s
T J
1
V G S = 0V
A
1
T C = 25°C
= 175°C
S ingle P ulse
1m s
1 0m s
A
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1
10
100
4
V S D , S ource-to-D rain V oltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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